Gate field plate IGBT with trench accumulation layer for extreme injection enhancement
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DOI：
10.1016/j.spmi.2017.01.046
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发表时间：
2017-04
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xiaorui Xu;Wanjun Chen;Liu Chao;Nan Chen;H. Tao;Yijun Shi;Yinchang Ma;Qi Zhou;Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaorui Xu;Wanjun Chen;Liu Chao;Nan Chen;H. Tao;Yijun Shi;Yinchang Ma;Qi Zhou;Bo Zhang
