Highly selective KOH-based etchant for boron-doped silicon structures
Highly selective KOH-based etchant for boron-doped silicon structures
复制标题
用于硼掺杂硅结构的高选择性 KOH 蚀刻剂
DOI：
10.1016/0167-9317(89)90039-7
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发表时间：
1989
影响因子：
2.3
通讯作者：
A. Lamberti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Bassous;A. Lamberti
