21‐1: Invited Paper: 5291‐ppi Microdisplay Using CAAC‐IGZO FET with Channel Length of 60 nm
21‐1:
Invited Paper:
5291‐ppi Microdisplay Using CAAC‐IGZO FET with Channel Length of 60 nm
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21-1：特邀论文：使用通道长度为 60 nm 的 CAAC-IGZO FET 的 5291-ppi 微显示器
DOI：
10.1002/sdtp.13861
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发表时间：
2020
影响因子：
19
通讯作者：
S. Yamazaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Shishido;S. Katsui;Hidetomo Kobayashi;T. Nakagawa;Y. Tamatsukuri;S. Uesaka;T. Nagata;T. Aoyama;Y. Okazaki;T. Ikeda;S. Yamazaki
对于每英寸像素数超过数千的高清晰度微型显示器，c轴对准晶体氧化铟镓锌（CAAC-IGZO）场效应晶体管（FET）是有效的器件。基于这样的观点，我们已经使用具有60 nm沟道长度的CAAC-IGZO FET制造了5291 μ m有机发光二极管（OLED）显示器。
For high‐definition microdisplays with more than several thousands of pixels per inch (ppi), c‐axis‐aligned crystal indium‐gallium‐zinc oxide (CAAC‐IGZO) field‐effect transistors (FETs) are effective devices. Based on such a viewpoint, we have fabricated a 5291‐ppi organic light‐emitting diode (OLED) display using CAAC‐IGZO FETs with a channel length of 60 nm.