ゲート制御型4端子TiO2-xメモリスタによる可変シナプス機能の実装
ゲート制御型4端子TiO2-xメモリスタによる可変シナプス機能の実装
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利用门控 4 端 TiO2-x 忆阻器实现可变突触功能
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
永田善也，清水琢磨，井坂健，藤平哲也，酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nagata Z;Shimizu T;Isaka T;Tohei T;Sakai A;永田善也，清水琢磨，井坂健，藤平哲也，酒井朗
