Compact model for layout dependent variability

Compact model for layout dependent variability
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布局相关可变性的紧凑模型

DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
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通讯作者：
H. Oyamatsu
H. Oyamatsu
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
H. Aikawa;T. Sanuki;A. Sakata;E. Morifuji;H. Yoshimura;T. Asami;H. Otani;H. Oyamatsu

文献摘要

被引文献

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我们开发了一个紧凑的模型来处理由设计布局依赖引起的MOSFET特性变化。它处理了在45纳米技术节点中特别重要的许多与应力相关的变化及其相互作用。结果表明，该模型能较准确地预测用于标准电池的MOSFET特性。
We have developed a compact model which deals with MOSFET characteristic variations arising from design layout dependences. It treats many stress related variations and their interactions that are especially important in 45 nm technology node. It is demonstrated that the model can predict MOSFET characteristics used in standard cells with high accuracy.