Characteristics of Hot Hole Injection,Trapping, and Detrapping in Gate Oxide of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Characteristics of Hot Hole Injection,Trapping, and Detrapping in Gate Oxide of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
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多晶硅薄膜晶体管栅氧化层热空穴注入、俘获和去俘获特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kenji Taniguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshinari Kamakura;Takashi Himukashi;Hiroshi Tsuji;and Kenji Taniguchi
