Design rules for p-i-n diode carriers sweeping in nano-rib waveguides on SOI.
Design rules for p-i-n diode carriers sweeping in nano-rib waveguides on SOI.
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SOI 纳米肋波导中 p-i-n 二极管载流子的设计规则
DOI：
10.1364/oe.19.009915
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
K. Petermann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Gajda;L. Zimmermann;J. Bruns;B. Tillack;K. Petermann
影响因子：
3.8
作者：
Hsieh, I-Wei;Chen, Xiaogang;Vlasov, Yurii A.
通讯作者：
Vlasov, Yurii A.
Mamyshev 信号再生器硅光子线中交叉相位调制和自由载流子色散的研究。
影响因子：
3.8
作者：
H. Hsieh;K. Feng;Ming
通讯作者：
Ming