Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
Epitaxial GaAs Lift Off via III-VI Layered Compounds
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通过 III-VI 层状化合物外延 GaAs 剥离
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobuaki Kojima;Yu-Cian Wang;Kei Kawakatsu;Akio Yamamoto;Yoshio ohshita;Masafumi Yamaguchi
