絶縁膜状におけるSiGe結晶成長とデバイス応用

絶縁膜状におけるSiGe結晶成長とデバイス応用
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绝缘膜形式的 SiGe 晶体生长和器件应用

DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
日本結晶成長学会誌 31(1)
影响因子:
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通讯作者:
宮尾 正信 他
宮尾 正信 他
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他

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