Impurity bound-to-unbound terahertz sensors based on beryllium and silicon d-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
Impurity bound-to-unbound terahertz sensors based on beryllium and silicon d-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
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基于铍和硅d掺杂GaAs/AlAs多量子阱的杂质结合至非结合太赫兹传感器
DOI：
10.1063/1.2839585
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发表时间：
2008
影响因子：
4
通讯作者：
Seliuta D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seliuta D
