Electrolumineseence from MOS capacitors with Si implanted oxide on p-type and n-type Si substrate
Electrolumineseence from MOS capacitors with Si implanted oxide on p-type and n-type Si substrate
复制标题
p 型和 n 型 Si 衬底上硅注入氧化物 MOS 电容器的电致发光
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Matsuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
中田勝志;福崎浩司;澤田真哉;吉岡芳夫;T.Matsuda
