h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
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使用 h-BN 栅极绝缘体的常断高迁移率金刚石场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口尚秀
中科院分区：
文献类型：
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作者：
笹間陽介;山口尚秀
