高電圧で MONOS 型メモリに捕獲された正孔のチャージセントロイドの決定
高電圧で MONOS 型メモリに捕獲された正孔のチャージセントロイドの決定
复制标题
确定高电压下 MONOS 型存储器中捕获的空穴的电荷质心
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小林 清輝
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
美濃 暢;小林 清輝
