Migration-enhanced epitaxyによるGaAs(001)上のInAs選択成長
Migration-enhanced epitaxyによるGaAs(001)上のInAs選択成長
复制标题
通过迁移增强外延在 GaAs(001) 上选择性生长 InAs
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
堀越佳治
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
マレーネ ツァンダー;西永慈郎;堀越佳治
