Direct Current Electroluminescence in Rare‐Earth‐Doped Zinc Sulphide )
Direct Current Electroluminescence in Rare‐Earth‐Doped Zinc Sulphide )
复制标题
稀土掺杂硫化锌中的直流电致发光）
DOI：
10.1002/pssa.2210810231
复制
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Krier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. J. Bryant;A. Krier
报道了稀土掺杂的硫化锌DCEL器件的一些性能和特点。讨论了两种类型的器件：共蒸发的ZnS：RE薄膜和离子注入的2NS：Re单晶二极管。该薄膜器件在较低的施加电压(通常为≈12 V)下显示出各种颜色的明亮DCEL。对ZnS：Er3+薄膜中Er3+离子的光谱强度和寿命的研究与这些器件中存在的传导电子之间的玻尔兹曼能量分布一致。本实验室用离子注入法制备的ZnS：Re单晶二极管也具有多种颜色的DCEL。通过比较不同稀土掺杂的EL发射，确定了Er和Nd是最有效的发光中心。对EL发射光谱的进一步研究证明，在那些含有稀土掺杂的器件中存在导带间热电子跃迁，这是低效的电致发光中心。这些发现可以用稀土络合物中发生的俄歇过程来解释。
这是一个重要的特征，也是一个重要的特征。Zwei Typen von Bauelementen is diskutiert，Gomeinsam aufgedampfte Dunne ZnS：Se-Schichten and ION enplanterte Zey Typen von Bauelementen：Se-Einkristalldioden.这是一个典型的≈(12 V)。Dunnen ZnS：Er3+-Schichten in Dunnen ZnS：Er3+-Schichten is MIT einer Boltzmann-Verteilung der Leitungselektronen in Diesen Bauelementen konsistent.在离子注入过程中，我们发现了十个锌元素：Se-Einkristalldioden Zeigen ebendown DCEL MIT verschiedenen Farben.从MIT verschiedenen Seltenen Erd-Dotanten Ohaltenen EL-EL-EL发射在元素的基础上，我们将继续努力，使无效的毛皮得到充分的利用。Diese Ergebnisse Lassen sich MIT Auger-Prozessen死于Errlaren的Geltenen-Erd-Komplexen auftreten。
Some of the properties and characteristics of rare-earth-doped zinc sulphide DCEL devices are reported. Two types of devices are discussed, co-evaporated ZnS: RE thin films and ion implanted 2nS:RE single crystal diodes. The thin film devices exhibit bright DCEL of various colours at low applied voltages (typically ≈ 12 V). A study of the spectral intensities and lifetimes of the Er3+ ion in ZnS: Er3+ thin films is consistent with a Boltzmann energy distribution amongst the conduction electrons present in these devices. The ZnS:RE single crystal diodes fabricated in this laboratory by ion implantation are also capable of various colour DCEL. By comparing the EL emission obtained from the different rare earth dopants, erbium and neodymium are identified as the most efficient luminescence centres. Further consideration of the EL emission spectra gives evidence for the presence of inter-conduction band hot electron transitions in those devices containing rare earth dopants which are inefficient electroluminescence centres. These findings ran be explained in terms of Auger processes occurring in rare earth complexes.
Es werden einige Eigenschaften und Charakteristiken von mit seltenen Erden dotierten Zinksalfid-DCEL-Elementen mitgeteilt. Zwei Typen von Bauelementen werden diskutiert, gemeinsam aufgedampfte dunne ZnS : SE-Schichten und ionenimplantierte ZnS : SE-Einkristalldioden. Die Dunnschichtelemente zeigen helle DCEL unterschiedlicher Farbe bei niedrigen Spannungen (typisch ≈ 12 V). Eine Untersuchung der spektralen Intensitaten und Lebensdauern der Er3+-Ionen in dunnen ZnS : Er3+-Schichten ist mit einer Boltzmann-Verteilung der Leitungselektronen in diesen Bauelementen konsistent. Die dureh Ionenimplantation hergestell ten ZnS:SE-Einkristalldioden zeigen ebenfalls DCEL mit verschiedenen Farben. Durch Vergleich der mit verschiedenen Seltenen Erd-Dotanten orhaltenen EL-Emission werden Erbium und Neodynium als die effektivsten Lumineszenzzentren identifiziert. Weitere Untersuchungen der EL-Emissionsspektren geben Hinweise fur Interleitungsbandubergange heiser Elektronen in den Elementen, die Seltene-Erd-Dotanten enthalten, die ineffizient fur die Elektrolumineszenz sind. Diese Ergebnisse lassen sich mit Auger-Prozessen, die in Geltenen-Erd-Komplexen auftreten, erlrlaren.