Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots
Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots
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具有包含多重堆叠硅量子点的MOS结构的发光二极管
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K;Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;J.Nishitani;K.Makihara;K.Makihara;J.Xu
