Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層のドーピング濃度の影響
Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層のドーピング濃度の影響
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Si衬底GaInN MQW LED中n型层掺杂浓度的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川博康
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森直人;嶋中啓太;広森公一;石川博康
