Self-Assembling Fonnation of Ninanodots on SiO_2 Induced by Remote H_-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics
Self-Assembling Fonnation of Ninanodots on SiO_2 Induced by Remote H_-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics
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远程H_等离子体处理诱导SiO_2上纳米点的自组装形成及其带电特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Makihara;K. Shimanoe;M. Ikeda;S. Hieashi;S. Miyazaki
