1/f and random telegraph noise in silicon metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors
1/f and random telegraph noise in silicon metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors
复制标题
DOI：
10.1063/1.96325
复制
发表时间：
1985-12
影响因子：
4
通讯作者：
M. Uren;D. Day;M. J. Kirton
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Uren;D. Day;M. J. Kirton
我们证明，在室温下工作的亚微米硅金属氧化物半导体场效应晶体管中发现的 1/ f 噪声行为的偏差是 1/ f 频谱分解为其组成洛伦兹分量的直接结果。在时域中，由于单个载波捕获事件引起的通道电阻的局部和离散调制，这些设备产生随机电报信号。
We demonstrate that deviations from 1/ f noise behavior found in submicron silicon metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors operating at room temperature are the direct result of the decomposition of the 1/ f spectrum into its constituent Lorentzian components. In the time domain, these devices produce random telegraph signals due to localized and discrete modulations of the channel resistance caused by individual carrier trapping events.