n-n接合体形成による触媒設計：n型半導体と接合したn型酸化タングステン極薄膜への電子蓄積
n-n接合体形成による触媒設計：n型半導体と接合したn型酸化タングステン極薄膜への電子蓄積
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使用 n-n 结形成的催化剂设计：与 n 型半导体键合的 n 型氧化钨超薄膜中的电子积累
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岸本史直，椿俊太郎，米谷真人，和田雄二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
兼松正人;藤本博志;岸本史直，椿俊太郎，米谷真人，和田雄二
