Negative Capacitance Field Effect Transistor With Hysteresis-Free Sub-60-mV/Decade Switching
Negative Capacitance Field Effect Transistor With Hysteresis-Free Sub-60-mV/Decade Switching
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DOI：
10.1109/led.2016.2523681
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发表时间：
2016-03-01
影响因子：
4.9
通讯作者：
Shin, Changhwan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jo, Jaesung;Shin, Changhwan
我们展示了一个几乎无浪涌的子60 mV/十年亚阈值摆幅（SS）在p型体金属氧化物半导体场效应晶体管外部连接到铁电电容器的操作。党卫军
We demonstrate a nearly hysteresis-free sub-60-mV/decade subthreshold swing (SS) operation in a p-type bulk metal-oxide-semiconductor field-effect transistor externally connected to a ferroelectric capacitor. The SS