Temperature-manipulated spin transport through a quantum dot transistor
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DOI：
10.1103/physrevb.83.075310
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发表时间：
2011-02
影响因子：
3.7
通讯作者：
Fenghua Qi;Yibo Ying;G. Jin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fenghua Qi;Yibo Ying;G. Jin
