Intersubband all-optical switching in submicron high-mesa SCH waveguide structure with wide-gap II-VI-based quantum wells
Intersubband all-optical switching in submicron high-mesa SCH waveguide structure with wide-gap II-VI-based quantum wells
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具有宽禁带 II-VI 量子阱的亚微米高台面 SCH 波导结构中的子带间全光开关
DOI：
10.1049/el:20062732
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发表时间：
2006
影响因子：
1.1
通讯作者：
Y. Takanashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Akita;R. Akimoto;T. Hasama;H. Ishikawa;Y. Takanashi
提出了一种利用宽禁带II-VI族量子威尔斯阱子带间跃迁的全光开关。该波导具有单独的限制异质结构（SCH）和亚微米高台面波导更强的光限制。当开关消光比为10 dB时，控制脉冲能量降低了39%，同时保持了亚皮秒响应。
An all-optical switch using intersubband transition in wide-gap II-VI-based quantum wells in an improved waveguide structure is presented. The waveguide exhibits a separate confinement heterostructure (SCH) and submicron high-mesa waveguide for stronger optical confinement. A reduction of 39% is achieved in control pulse energy for a 10 dB switching extinction ratio while maintaining a subpicosecond response.