Rapid Inverse Design of GaN-on-GaN Diode with Guard Ring Termination for BV and (V F Q) −1 Co-Optimization
Rapid Inverse Design of GaN-on-GaN Diode with Guard Ring Termination for BV and (V F Q) −1 Co-Optimization
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具有保护环终端的 GaN-on-GaN 二极管的快速逆向设计，用于 BV 和 (V F Q) â1 协同优化
DOI：
10.1109/ispsd57135.2023.10147511
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Wong, Hiu Yung
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yee, Nathan;Lu, Albert;Wang, Yifan;Porter, Matthew;Zhang, Yuhao;Wong, Hiu Yung
