Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectric Grown by MOCVD

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MOCVD 生长硅酸镨超薄栅介质的结构和电学性能

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Extended Abstracts of 2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF 2004)
影响因子：
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通讯作者：
Hirotsugu Fujita
Hirotsugu Fujita
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M.Yamazato;et al.;鄭 仰東;Hirotsugu Fujita

文献摘要

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