Analysis of Transient Current in SiC Diodes Irradiated with MeV Ions

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MeV离子辐照SiC二极管瞬态电流分析

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
影响因子：
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通讯作者：
K. Kawano
K. Kawano
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;S. Hishiki;K. Mishima;N. Iwamoto;T. Kamiya;K. Kawano

文献摘要

被引文献

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