分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振

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分子束外延生长GaAs半导体激光器的室温脉冲振荡

DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
名城大学総合研究所 紀要
影响因子:
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通讯作者:
成塚重弥
成塚重弥
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
宮嶋孝夫;荒川亮太;石川裕介;神林大介;森田悠斗;森本晃平;宇野光輝;下原光貴;今井大地;成塚重弥

文献摘要

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