High Field Magnetoresistance and de Haas-van Alphen Effect in LaIn3

High Field Magnetoresistance and de Haas-van Alphen Effect in LaIn3
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LaIn3 中的高场磁阻和德哈斯-范阿尔芬效应

DOI:
10.1143/jpsj.60.591
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发表时间:
1991
影响因子:
1.7
通讯作者:
Y. Ōnuki
Y. Ōnuki
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
I. Umehara;N. Nagai;Y. Ōnuki

文献摘要

被引文献

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我们测量了LaIn 3的磁电阻和de Haas-van Alphen(dHvA)效应。磁电阻在各个磁场方向上都增大,表明该材料是一种补偿材料。
We have measured the magnetoresistance and the de Haas-van Alphen (dHvA) effect in LaIn 3 . The magnetoresistance increases in the all field directions, indicating that this material is a compensat...