パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収
パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収
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脉冲激光熔化法深层掺杂过饱和杂质硅的红外光吸收
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杉村陽
中科院分区：
文献类型：
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作者：
梅津郁朗;香淳;川邊大介;松田祐樹;中川将;杉村陽
