Lattice parameter determination of a composition controlled Si_<1-x>Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
Lattice parameter determination of a composition controlled Si_<1-x>Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
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使用会聚束电子衍射测定 Si(001) 衬底上成分控制的 Si_<1-x>Ge_x 层的晶格参数
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Akaogi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Terauchi;津田健治;M.Terauchi;M.Terauchi;T.Akaogi
