Application of advanced 200 GHz Si–Ge HBTs for high dose radiation environments
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DOI：
10.1016/j.sse.2010.08.003
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发表时间：
2010-12
影响因子：
1.7
通讯作者：
K. C. Praveen;N. Pushpa;Y. Rao;G. Govindaraj;J. Cressler;A. Prakash
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. C. Praveen;N. Pushpa;Y. Rao;G. Govindaraj;J. Cressler;A. Prakash
