4端子ゲート抵抗法によるナノスケールバルク/極薄膜BOX SOI MOSFET動作温度の評価
4端子ゲート抵抗法によるナノスケールバルク/極薄膜BOX SOI MOSFET動作温度の評価
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使用 4 端子栅极电阻法评估纳米级体/超薄膜 BOX SOI MOSFET 工作温度
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内田建
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋綱己;松木武雄;品田賢宏;井上靖朗;内田建
