Growth of Fe4N/Cu/Fe4N tri-layer structure for current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
Growth of Fe4N/Cu/Fe4N tri-layer structure for current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
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Fe4N/Cu/Fe4N三层结构的电流垂直平面巨磁阻器件的生长
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高梨弘毅
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤啓太;窪田崇秀;高梨弘毅
