1.2 nm-EOT Al_2O_3/Ge Gate Stack with GeOx-free Interface
1.2 nm-EOT Al_2O_3/Ge Gate Stack with GeOx-free Interface
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具有无 GeOx 接口的 1.2 nm-EOT Al_2O_3/Ge 栅极堆栈
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tabata;C.H.Lee;T.Nishimura;S.K.Wang;K.Kita;A.Toriumi
