Coarse wavelength division multiplexer on silicon-on-insulator for 100 GbE
Coarse wavelength division multiplexer on silicon-on-insulator for 100 GbE
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适用于 100 GbE 的绝缘体上硅粗波分复用器
DOI：
10.1109/group4.2015.7305928
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
W. Bogaerts
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Dwivedi;P. De Heyn;P. Absil;J. Van Campenhout;W. Bogaerts
在绝缘体上硅片上设计了一种粗通道间距为20 nm，带状平坦度为13 nm的o波段四通道级联MZI解复用器。该器件的平均串扰和插入损耗分别低于-16 dB和2.5 dB。
A four-channel cascaded MZI based de-multiplexer at O-band with coarse channel spacing of 20 nm and band flatness of 13 nm is demonstrated on silicon-on-insulator. The device shows a mean crosstalk and insertion loss below -16 dB and 2.5 dB.