Investigating physical and chemical changes in high- k gate stacks using nanoanalytical electron microscopy
Investigating physical and chemical changes in high- k gate stacks using nanoanalytical electron microscopy
复制标题
使用纳米分析电子显微镜研究高 k 栅极堆叠中的物理和化学变化
DOI：
10.1016/j.mee.2005.04.048
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发表时间：
2005
影响因子：
2.3
通讯作者：
F. Docherty
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Craven;M. Mackenzie;D. McComb;F. Docherty
