Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches
Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches
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具有光刻形成沟槽的 SOI 衬底上 CeO2(100) 和 (110) 区域的混合取向结构
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Inoue and S. Shida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井上知泰;信田重成;T. Inoue and S. Shida
