Subthreshold-Characteristics Control of Narrow- channel SOI nMOS transistor Utilized Additional Side Gate Electrodes
Subthreshold-Characteristics Control of Narrow- channel SOI nMOS transistor Utilized Additional Side Gate Electrodes
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利用附加侧栅电极的窄沟道 SOI nMOS 晶体管的亚阈值特性控制
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Okuyama;K.Yoshikawa;H.Sunami
影响因子：
3.9
作者：
H. Sunami
通讯作者：
H. Sunami