H.Hasegawa: "Properties of Metal-Semiconductor Interfaces Formed on n-type GaN" Jpn.J.Appl.Phys., in press. 38. (1999)
H.Hasegawa: "Properties of Metal-Semiconductor Interfaces Formed on n-type GaN" Jpn.J.Appl.Phys., in press. 38. (1999)
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H.Hasekawa：“n 型 GaN 上形成的金属-半导体界面的特性”Jpn.J.Appl.Phys.，出版中。
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