Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residue
Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residue
复制标题
硅蚀刻的原子尺度细胞模型和轮廓模拟：表面粗糙度和残留物的形成
DOI：
10.1016/j.tsf.2009.11.043
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
K. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Tsuda;M. Mori;Y. Takao;K. Eriguchi;K. Ono
