Diamond MISFETsfabricated onhighquality polycrystalline CVDdiamond

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采用优质多晶 CVD 金刚石制造的金刚石 MISFET

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
H. Umezawa
H. Umezawa
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K. Hiramal;H. Takayanagil;S. Yamauchil;Y. Jingul;H. Umezawa

文献摘要

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在高质量的IIa型多晶金刚石上制备了栅长为0.1 μ m的金刚石金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）。最大漏电流密度为650 mA/mm，截止频率为42 GHz。漏电流密度是迄今为止报道的金刚石FET的最高值。
Diamondmetal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) witha 0.1,umgatelength were fabricated onhighquality Ila-type polycrystalline diamond. A maximumdraincurrent density of650mA/mm andacut-off frequency (fT) of42GHz wereobtained. Thedraincurrent density isthehighest valuereported todatefordiamond FETs.