A 65nm CMOS transceiver with integrated active cancellation supporting FDD from 1GHz to 1.8GHz at +12.6dBm TX power leakage
A 65nm CMOS transceiver with integrated active cancellation supporting FDD from 1GHz to 1.8GHz at +12.6dBm TX power leakage
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具有集成主动消除功能的 65nm CMOS 收发器，支持 1GHz 至 1.8GHz 的 FDD，TX 功率泄漏为 12.6dBm
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Nikolić
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sameet Ramakrishnan;Lucas Calderin;A. Puglielli;E. Alon;A. Niknejad;B. Nikolić
本文提出了一种用于 FDD 的有源发射机 (TX) 消除方案，该方案合成了与接收机 (RX) 并联的 TX 电流的副本，实际上使 RX 的 TX 信号短路，同时对 TX 插入损耗的影响最小。 65nm CMOS 原型演示了 +12.6dBm 峰值 20MHz 调制 TX 信号的 50dB 消除。集成在同一原型上的接收器能够以 40MHz 偏移对 RX 信号进行下变频，在存在残余 TX 的情况下，噪声系数 (NF) 下降 <4.3dB。
This paper presents an active transmitter (TX) cancellation scheme for FDD that synthesizes a replica of the TX current in shunt with the receiver (RX), virtually shorting out the TX signal for the RX while having minimal impact on TX insertion loss. The prototype in 65nm CMOS demonstrates >50dB cancellation of a +12.6dBm peak 20MHz modulated TX signal. A receiver integrated on the same prototype is able to down-convert the RX signal at 40MHz offset with <;4.3dB noise figure (NF) degradation in the presence of the residual TX.