神岡 純
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神冈纯
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发表时间：
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期刊：
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通讯作者：
MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shingo Harada;Hiroshi Fujimoto;MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
