室温で長いキャリア寿命を有する(110)歪InGaAs量子井戸のMBE成長
室温で長いキャリア寿命を有する(110)歪InGaAs量子井戸のMBE成長
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室温下具有长载流子寿命的 (110) 应变 InGaAs 量子阱的 MBE 生长
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
揖場聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zi-han Wang;Cheul-hyun Yoon;Shoji Yoshida;Yusuke Arashida;Osamu Takeuchi;Yuzo Ohno and Hidemi Shigekawa;揖場聡
