相構造制御による高性能低ギャップSi添加a-C半導体の開発
相構造制御による高性能低ギャップSi添加a-C半導体の開発
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通过相结构控制开发高性能、低能隙硅掺杂a-C半导体
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本多謙介，松本明香里，近藤文太，楢木野宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tatsuya Kuremoto;Tomohiro Yasukawa;Shu Kobayashi;本多謙介，松本明香里，近藤文太，楢木野宏
