利用MOS结合PN结反向串联获得硅太阳电池的高填充因子
利用MOS结合PN结反向串联获得硅太阳电池的高填充因子
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DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
Nanoscale Research Letters
影响因子：
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通讯作者：
陆明
陆明
中科院分区：
材料科学3区
文献类型：
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作者：
陆明
文献摘要
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