低濃度p型GaN縦型ショットキー バリアダイオード構造の作製と評価
低濃度p型GaN縦型ショットキー バリアダイオード構造の作製と評価
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低浓度p型GaN垂直肖特基势垒二极管结构的制作与评估
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
上野耕平; 小林篤; 藤岡洋;上野耕平,柴原啓太,小林篤,藤岡洋
