Surface Passivation of N-type Si surfaces using SiO_2 grown by of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Processing
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常压等离子体氧化工艺生长的SiO_2对N型硅表面的表面钝化
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他3名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
卓澤騰;大参宏昌;垣内弘章;安武潔;他3名
