Chemical and electronic properties of Fe/MgO/Ge heterostructures for spin electronics
Chemical and electronic properties of Fe/MgO/Ge heterostructures for spin electronics
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自旋电子学中 Fe/MgO/Ge 异质结构的化学和电子特性
DOI：
10.1088/1742-6596/292/1/012010
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Bertacco
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Petti;M. Cantoni;C. Rinaldi;R. Bertacco
本文报道了用x射线光电发射光谱探测外延Fe/MgO/Ge（001）异质结构的化学和电子性质。与Fe/MgO/Fe体系不同的是，570 K退火在上部Fe/MgO界面产生了相当大的相互扩散，而470 K退火则抑制了这一过程。在本征锗衬底上生长的470k退火异质结构的能带对准的XPS分析表明，费米能级位于MgO隙的中心，肖特基势垒高度为0.35±0.1 eV，表明费米能级部分脱落。
We report on the chemical and electronic properties of epitaxial Fe/MgO/Ge(001) heterostructures probed by X-ray Photoemission Spectroscopy. At variance with the Fe/MgO/Fe system, annealing at 570 K produces a sizable interdiffusion at the upper Fe/MgO interface, while at 470 K this process is inhibited. The XPS analysis of band alignment in heterostructures annealed at 470 K grown onto an intrinsic Ge substrate indicates that the Fermi level is placed at the center of the MgO gap and that the Schottky barrier height is 0.35±0.1 eV, thus indicating a partial depinning of the Fermi level.
Fe/MgO/GaAs(001)结中的电子传导和自旋过滤效应
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
和田詠史;伊藤満;谷山智康
通讯作者：
谷山智康