Strain relaxation at the interface resulting in high-quality α-Ga_2O_3layers on sapphire substrates
Strain relaxation at the interface resulting in high-quality α-Ga_2O_3layers on sapphire substrates
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界面处的应变松弛导致蓝宝石衬底上形成高质量的 α-Ga_2O_3 层
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kentaro Kaneko and Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Simon Haas;Hiroyuki Matsui;Tatsuo Hasegawa;保科宏道;Kentaro Kaneko and Shizuo Fujita
